фото Оперативная память DDR4 8 ГБ (1×8 ГБ) Samsung M378A1G44CB0-CWE, 3200 МГц, (M378A1G44CB0-CWE ) в Казани
Оперативная память DDR4 8 ГБ (1×8 ГБ) Samsung M378A1G44CB0-CWE, 3200 МГц, (M378A1G44CB0-CWE )
5
Код товара: 1046868
Артикул: M378A1G44CB0-CWE
9 051 ₽
Добавить в корзину В корзину
В корзине
Оперативная память DDR4 8 ГБ (1×8 ГБ) Samsung M378A1G44CB0-CWE, 3200 МГц, (M378A1G44CB0-CWE )
Главная · Комплектующие для ПК и ноутбуков · Оперативная память ·Оперативная память DDR4 8 ГБ (1×8 ГБ) Samsung M378A1G44CB0-CWE, 3200 МГц, (M378A1G44CB0-CWE ) в Казани

Оперативная память DDR4 8 ГБ (1×8 ГБ) Samsung M378A1G44CB0-CWE, 3200 МГц, (M378A1G44CB0-CWE ) в Казани

5
1 отзыв
Задать вопрос специалисту
фото Оперативная память DDR4 8 ГБ (1×8 ГБ) Samsung M378A1G44CB0-CWE, 3200 МГц, (M378A1G44CB0-CWE ) в Казани
фото Оперативная память DDR4 8 ГБ (1×8 ГБ) Samsung M378A1G44CB0-CWE, 3200 МГц, (M378A1G44CB0-CWE ) в Казани
фото Оперативная память DDR4 8 ГБ (1×8 ГБ) Samsung M378A1G44CB0-CWE, 3200 МГц, (M378A1G44CB0-CWE ) в Казани
фото Оперативная память DDR4 8 ГБ (1×8 ГБ) Samsung M378A1G44CB0-CWE, 3200 МГц, (M378A1G44CB0-CWE ) в Казани
Описание
Характеристики
Отзывы1
Описание

Оперативная память произведена с учетом требований современных компьютерных систем, что гарантирует ее универсальность и надежность. Модуль относится к классу DDR4, обладает емкостью 8 ГБ и 288-контактным модулем DIMM. Предельная частота работы устройства достигает 3200 МГц, а пропускная способность – 25600 Мб/с.

  • Подсветка элементов платы
  • Радиатор
  • Напряжение питания
  • Объем одного модуля
  • Тип памяти DDR
  • Форм-фактор
  • Количество модулей в комплекте
    1
  • Частота памяти
  • CAS Latency (CL)
    22
  • Объём памяти комплекта
Рекомендуем приобрести
Вы недавно смотрели
Характеристики
  • Основные характеристики
  • Подсветка элементов платы
  • Радиатор
  • Напряжение питания
  • Объем одного модуля
  • Тип памяти DDR
  • Форм-фактор
  • Количество модулей в комплекте
    1
  • Частота памяти
  • CAS Latency (CL)
    22
  • Объём памяти комплекта
  • Пропускная способность
    25600 МБ/сек
Отзывы 1
Отзывы
С
Сергей
5 марта 2024
Достоинства
Чипы самсунг a- die. Есть возможность разгона.
Комментарий
Разогнал пока 3800. Тайминги 18 23 22 40. Напруга 1.45.
Ответить
0
0
5
Общий рейтинг на основе 1 отзыв
1
0
2
0
3
0
4
0
5
1
Оставить отзыв
Вопрос-ответ 0
Вопрос-ответ

Оперативная память DDR4 8 ГБ (1×8 ГБ) Samsung M378A1G44CB0-CWE, 3200 МГц, (M378A1G44CB0-CWE ) в Казани сертифицирован для продажи в России.

Оперативная память DDR4 8 ГБ (1×8 ГБ) Samsung M378A1G44CB0-CWE, 3200 МГц, (M378A1G44CB0-CWE ) - фото, технические характеристики, условия доставки в Москве и России. Для того, чтобы купить Оперативная память DDR4 8 ГБ (1×8 ГБ) Samsung M378A1G44CB0-CWE, 3200 МГц, (M378A1G44CB0-CWE ) в интернет-магазине Xcom-shop.ru достаточно заполнить форму онлайн-заказа или позвонить по телефону +7 8432 55-50-61.

Изображения товара, включая цвет, могут отличаться от реального внешнего вида. Комплектация также может быть изменена производителем без предварительного уведомления. Данное описание и количество товара не является публичной офертой.