Оперативная память для серверов в Казани

195 товаров
Фильтры
Сортировка
Стало дешевле
Товар недавно подешевел
Код товара: 1223479
Micron MTC20C2085S1EC56BD1
Тип памяти: DDR5;
Частота: 5600 МГц;
Объем одного модуля: 32 Гб;
Латентность: CL46;
Модулей в комплекте: 1 шт.;
Пропускная способность: 44800 МБ/сек;
Самовывоз Уточняется у менеджера;
97 481
Код товара: 726060
Hynix original HMA84GR7AFR4N-VK
Тип памяти: RDIMM ECC DDR4;
Частота: 2666 МГц;
Объем одного модуля: 32 Гб;
Латентность: CL19;
Тайминги: 19 19;
Модулей в комплекте: 1 шт.;
Самовывоз Уточняется у менеджера;
37 036
Код товара: 995972
Hynix original HMAA8GL7AMR4N-VK
Тип памяти: LRDIMM DDR4;
Частота: 2666 МГц;
Объем одного модуля: 64 Гб;
Латентность: CL19;
Модулей в комплекте: 1 шт.;
Пропускная способность: 21300 МБ/сек;
Самовывоз Уточняется у менеджера;
59 092
Код товара: 879788
Samsung M393A4K40EB3-CWE
Тип памяти: RDIMM ECC DDR4;
Частота: 3200 МГц;
Латентность: CL22;
Модулей в комплекте: 1 шт.;
Пропускная способность: 25600 МБ/сек;
Самовывоз Уточняется у менеджера;
50 845
-7%
47 361
Код товара: 837683
Hynix original HMA84GR7MFR4N-UHTD
Тип памяти: RDIMM ECC DDR4;
Частота: 2400 МГц;
Латентность: CL17;
Тайминги: 17 17 32;
Модулей в комплекте: 1 шт.;
Пропускная способность: 19200 МБ/сек;
Самовывоз Уточняется у менеджера;
29 960
Код товара: 740580
Samsung M393A8G40AB2-CWE
Тип памяти: RDIMM ECC DDR4;
Частота: 3200 МГц;
Латентность: CL22;
Модулей в комплекте: 1 шт.;
Пропускная способность: 25600 МБ/сек;
Самовывоз Уточняется у менеджера;
91 669
Код товара: 889090
Samsung M391A4G43BB1-CWE
Тип памяти: DDR4;
Частота: 3200 МГц;
Объем одного модуля: 32 Гб;
Латентность: CL22;
Модулей в комплекте: 1 шт.;
Пропускная способность: 25600 МБ/сек;
Самовывоз Уточняется у менеджера;
44 305
Код товара: 890171
Samsung M393A2K40EB3-CWE
Тип памяти: RDIMM ECC DDR4;
Частота: 3200 МГц;
Латентность: CL22;
Модулей в комплекте: 1 шт.;
Пропускная способность: 25600 МБ/сек;
Самовывоз Уточняется у менеджера;
30 789
-40%
18 503
Код товара: 847862
Hynix original HMA84GR7DJR4N-XN
Тип памяти: RDIMM ECC DDR4;
Частота: 3200 МГц;
Латентность: CL22;
Тайминги: 22 22;
Модулей в комплекте: 1 шт.;
Пропускная способность: 25600 МБ/сек;
Самовывоз Уточняется у менеджера;
94 681
-44%
52 708
Код товара: 1029828
Samsung M321R8GA0BB0-CQK
Тип памяти: RDIMM ECC DDR5;
Частота: 4800 МГц;
Объем одного модуля: 64 Гб;
Модулей в комплекте: 1 шт.;
Пропускная способность: 38400 МБ/сек;
Самовывоз Уточняется у менеджера;
395 207
-44%
221 540
Код товара: 837948
Hynix original HMA84GR7CJR4N-WM
Тип памяти: RDIMM ECC DDR4;
Частота: 2933 МГц;
Латентность: CL21;
Модулей в комплекте: 1 шт.;
Пропускная способность: 23400 МБ/сек;
Самовывоз Уточняется у менеджера;
36 900
Код товара: 724248
Hynix original HMA82GR7AFR8N-VK
Тип памяти: RDIMM ECC DDR4;
Частота: 2666 МГц;
Объем одного модуля: 16 Гб;
Латентность: CL19;
Тайминги: 19 19;
Модулей в комплекте: 1 шт.;
Самовывоз Уточняется у менеджера;
17 844
Код товара: 802992
Samsung M393A4K40DB3-CWE
Тип памяти: RDIMM ECC DDR4;
Частота: 3200 МГц;
Латентность: CL22;
Модулей в комплекте: 1 шт.;
Пропускная способность: 25600 МБ/сек;
Самовывоз Уточняется у менеджера;
96 786
-48%
49 845
Код товара: 1021869
Samsung M321R4GA3BB6-CQK
Тип памяти: RDIMM ECC DDR5;
Частота: 4800 МГц;
Объем одного модуля: 32 Гб;
Латентность: CL40;
Модулей в комплекте: 1 шт.;
Пропускная способность: 38400 МБ/сек;
Самовывоз Уточняется у менеджера;
189 538
-38%
116 772
Код товара: 935461
Micron MTA36ASF4G72PZ-3G2
Тип памяти: RDIMM ECC DDR4;
Частота: 3200 МГц;
Латентность: CL22;
Модулей в комплекте: 1 шт.;
Пропускная способность: 25600 МБ/сек;
Самовывоз Уточняется у менеджера;
58 060
Код товара: 1100986
Samsung M321R8GA0PB0-CWM
Тип памяти: RDIMM ECC DDR5;
Частота: 5600 МГц;
Объем одного модуля: 64 Гб;
Латентность: CL40;
Тайминги: 40 40;
Модулей в комплекте: 1 шт.;
Самовывоз Уточняется у менеджера;
276 648
-19%
224 561
Код товара: 1155504
Hynix original HMA84GR7DJR4N-WM
Тип памяти: RDIMM ECC DDR4;
Частота: 2933 МГц;
Объем одного модуля: 32 Гб;
Латентность: CL21;
Модулей в комплекте: 1 шт.;
Пропускная способность: 23400 МБ/сек;
Самовывоз Уточняется у менеджера;
37 385
Стало дешевле
Товар недавно подешевел
Код товара: 802991
Samsung M386A8K40DM2-CWE
Тип памяти: LRDIMM DDR4;
Частота: 3200 МГц;
Латентность: CL22;
Модулей в комплекте: 1 шт.;
Пропускная способность: 25600 МБ/сек;
Самовывоз Уточняется у менеджера;
98 732
Код товара: 860617
Samsung M393AAG40M32-CAE
Тип памяти: RDIMM ECC DDR4;
Частота: 3200 МГц;
Латентность: CL22;
Модулей в комплекте: 1 шт.;
Пропускная способность: 25600 МБ/сек;
Самовывоз Уточняется у менеджера;
121 900
Код товара: 1257818
Hynix original HMCG84MEBRA174N
Тип памяти: RDIMM ECC DDR5;
Частота: 4800 МГц;
Объем одного модуля: 32 Гб;
Латентность: CL40;
Модулей в комплекте: 1 шт.;
Пропускная способность: 38400 МБ/сек;
Самовывоз Уточняется у менеджера;
149 208
-26%
110 768
Код товара: 837950
Hynix original HMAA8GR7AJR4N-XN
Тип памяти: RDIMM ECC DDR4;
Частота: 3200 МГц;
Латентность: CL22;
Модулей в комплекте: 1 шт.;
Пропускная способность: 25600 МБ/сек;
Самовывоз Уточняется у менеджера;
82 299
-7%
76 455
Код товара: 1109836
Hynix original HMAA8GR7CJR4N-XN
Тип памяти: RDIMM ECC DDR4;
Частота: 3200 МГц;
Объем одного модуля: 64 Гб;
Латентность: CL22;
Модулей в комплекте: 1 шт.;
Пропускная способность: 25600 МБ/сек;
Самовывоз Уточняется у менеджера;
119 301
-27%
86 900
Код товара: 988174
Samsung M321R2GA3BB6-CQK
Тип памяти: RDIMM ECC DDR5;
Частота: 4800 МГц;
Объем одного модуля: 16 Гб;
Латентность: CL40;
Модулей в комплекте: 1 шт.;
Пропускная способность: 38400 МБ/сек;
Самовывоз Уточняется у менеджера;
82 194
-7%
76 462
Код товара: 879787
Samsung M393A2K43EB3-CWE
Тип памяти: RDIMM ECC DDR4;
Частота: 3200 МГц;
Латентность: CL22;
Модулей в комплекте: 1 шт.;
Пропускная способность: 25600 МБ/сек;
Самовывоз Уточняется у менеджера;
62 000
-6%
58 347

Категории
Оперативная память
Цена, ₽
Производитель
Показать все
Тип памяти DDR
Форм-фактор
Объем одного модуля
Показать все
Объём памяти комплекта
Показать все
Количество модулей в комплекте
Частота памяти
Показать все
CAS Latency (CL)
Показать все
Подсветка элементов платы
Радиатор
Напряжение питания