Оперативная память для серверов в Казани

206 товаров
Фильтры
Сортировка
Стало дешевле
Товар недавно подешевел
Код товара: 1223479
Micron MTC20C2085S1EC56BD1
Тип памяти: DDR5;
Частота: 5600 МГц;
Объем одного модуля: 32 Гб;
Латентность: CL46;
Модулей в комплекте: 1 шт.;
Пропускная способность: 44800 МБ/сек;
Самовывоз Уточняется у менеджера;
97 481
Код товара: 726060
Hynix original HMA84GR7AFR4N-VK
Тип памяти: RDIMM ECC DDR4;
Частота: 2666 МГц;
Объем одного модуля: 32 Гб;
Латентность: CL19;
Тайминги: 19 19;
Модулей в комплекте: 1 шт.;
Самовывоз Уточняется у менеджера;
37 003
Код товара: 995972
Hynix original HMAA8GL7AMR4N-VK
Тип памяти: LRDIMM DDR4;
Частота: 2666 МГц;
Объем одного модуля: 64 Гб;
Латентность: CL19;
Модулей в комплекте: 1 шт.;
Пропускная способность: 21300 МБ/сек;
Самовывоз Уточняется у менеджера;
59 040
Код товара: 879788
Samsung M393A4K40EB3-CWE
Тип памяти: RDIMM ECC DDR4;
Частота: 3200 МГц;
Латентность: CL22;
Модулей в комплекте: 1 шт.;
Пропускная способность: 25600 МБ/сек;
Самовывоз Уточняется у менеджера;
50 845
-7%
47 319
Код товара: 837683
Hynix original HMA84GR7MFR4N-UHTD
Тип памяти: RDIMM ECC DDR4;
Частота: 2400 МГц;
Латентность: CL17;
Тайминги: 17 17 32;
Модулей в комплекте: 1 шт.;
Пропускная способность: 19200 МБ/сек;
Самовывоз Уточняется у менеджера;
29 432
Код товара: 740580
Samsung M393A8G40AB2-CWE
Тип памяти: RDIMM ECC DDR4;
Частота: 3200 МГц;
Латентность: CL22;
Модулей в комплекте: 1 шт.;
Пропускная способность: 25600 МБ/сек;
Самовывоз Уточняется у менеджера;
94 797
Код товара: 889090
Samsung M391A4G43BB1-CWE
Тип памяти: DDR4;
Частота: 3200 МГц;
Объем одного модуля: 32 Гб;
Латентность: CL22;
Модулей в комплекте: 1 шт.;
Пропускная способность: 25600 МБ/сек;
Самовывоз Уточняется у менеджера;
40 449
Код товара: 890171
Samsung M393A2K40EB3-CWE
Тип памяти: RDIMM ECC DDR4;
Частота: 3200 МГц;
Латентность: CL22;
Модулей в комплекте: 1 шт.;
Пропускная способность: 25600 МБ/сек;
Самовывоз Уточняется у менеджера;
30 789
-34%
20 336
Код товара: 847862
Hynix original HMA84GR7DJR4N-XN
Тип памяти: RDIMM ECC DDR4;
Частота: 3200 МГц;
Латентность: CL22;
Тайминги: 22 22;
Модулей в комплекте: 1 шт.;
Пропускная способность: 25600 МБ/сек;
Самовывоз Уточняется у менеджера;
94 681
-56%
41 980
Код товара: 1029828
Samsung M321R8GA0BB0-CQK
Тип памяти: RDIMM ECC DDR5;
Частота: 4800 МГц;
Объем одного модуля: 64 Гб;
Модулей в комплекте: 1 шт.;
Пропускная способность: 38400 МБ/сек;
Самовывоз Уточняется у менеджера;
395 207
-51%
194 629
Код товара: 721730
Samsung M393A8G40MB2-CVF
Тип памяти: RDIMM ECC DDR4;
Частота: 2933 МГц;
Объем одного модуля: 64 Гб;
Латентность: CL21;
Тайминги: 21 21;
Модулей в комплекте: 1 шт.;
Самовывоз Уточняется у менеджера;
92 522
Код товара: 837948
Hynix original HMA84GR7CJR4N-WM
Тип памяти: RDIMM ECC DDR4;
Частота: 2933 МГц;
Латентность: CL21;
Модулей в комплекте: 1 шт.;
Пропускная способность: 23400 МБ/сек;
Самовывоз Уточняется у менеджера;
36 900
Код товара: 724248
Hynix original HMA82GR7AFR8N-VK
Тип памяти: RDIMM ECC DDR4;
Частота: 2666 МГц;
Объем одного модуля: 16 Гб;
Латентность: CL19;
Тайминги: 19 19;
Модулей в комплекте: 1 шт.;
Самовывоз Уточняется у менеджера;
17 828
Код товара: 1021869
Samsung M321R4GA3BB6-CQK
Тип памяти: RDIMM ECC DDR5;
Частота: 4800 МГц;
Объем одного модуля: 32 Гб;
Латентность: CL40;
Модулей в комплекте: 1 шт.;
Пропускная способность: 38400 МБ/сек;
Самовывоз Уточняется у менеджера;
189 538
-40%
113 716
Стало дешевле
Товар недавно подешевел
Код товара: 1100986
Samsung M321R8GA0PB0-CWM
Тип памяти: RDIMM ECC DDR5;
Частота: 5600 МГц;
Объем одного модуля: 64 Гб;
Латентность: CL40;
Тайминги: 40 40;
Модулей в комплекте: 1 шт.;
Самовывоз Уточняется у менеджера;
276 648
-32%
188 548
Код товара: 860617
Samsung M393AAG40M32-CAE
Тип памяти: RDIMM ECC DDR4;
Частота: 3200 МГц;
Латентность: CL22;
Модулей в комплекте: 1 шт.;
Пропускная способность: 25600 МБ/сек;
Самовывоз Уточняется у менеджера;
121 900
Код товара: 1257818
Hynix original HMCG84MEBRA174N
Тип памяти: RDIMM ECC DDR5;
Частота: 4800 МГц;
Объем одного модуля: 32 Гб;
Латентность: CL40;
Модулей в комплекте: 1 шт.;
Пропускная способность: 38400 МБ/сек;
Самовывоз Уточняется у менеджера;
149 208
-41%
87 772
Код товара: 837950
Hynix original HMAA8GR7AJR4N-XN
Тип памяти: RDIMM ECC DDR4;
Частота: 3200 МГц;
Латентность: CL22;
Модулей в комплекте: 1 шт.;
Пропускная способность: 25600 МБ/сек;
Самовывоз Уточняется у менеджера;
104 627
Код товара: 1109836
Hynix original HMAA8GR7CJR4N-XN
Тип памяти: RDIMM ECC DDR4;
Частота: 3200 МГц;
Объем одного модуля: 64 Гб;
Латентность: CL22;
Модулей в комплекте: 1 шт.;
Пропускная способность: 25600 МБ/сек;
Самовывоз Уточняется у менеджера;
119 301
-27%
86 900
Код товара: 1083038
Samsung M393A8G40CB4-CWE
Тип памяти: RDIMM ECC DDR4;
Частота: 3200 МГц;
Объем одного модуля: 64 Гб;
Модулей в комплекте: 1 шт.;
Пропускная способность: 25600 МБ/сек;
Самовывоз Уточняется у менеджера;
111 224
-18%
90 828
Код товара: 988174
Samsung M321R2GA3BB6-CQK
Тип памяти: RDIMM ECC DDR5;
Частота: 4800 МГц;
Объем одного модуля: 16 Гб;
Латентность: CL40;
Модулей в комплекте: 1 шт.;
Пропускная способность: 38400 МБ/сек;
Самовывоз Уточняется у менеджера;
82 194
-19%
66 341
Код товара: 879787
Samsung M393A2K43EB3-CWE
Тип памяти: RDIMM ECC DDR4;
Частота: 3200 МГц;
Латентность: CL22;
Модулей в комплекте: 1 шт.;
Пропускная способность: 25600 МБ/сек;
Самовывоз Уточняется у менеджера;
60 425
Код товара: 270336
Kingston KVR16R11D4/16
Тип памяти: DDR3;
Частота: 1600 МГц;
Латентность: CL11;
Тайминги: 11 11 30;
Модулей в комплекте: 1 шт.;
Пропускная способность: 12800 МБ/сек;
Самовывоз Уточняется у менеджера;
5 714
-5%
5 444
Код товара: 1251115
Micron MTA18ASF2G72PZ-3G2
Тип памяти: RDIMM ECC DDR4;
Частота: 3200 МГц;
Объем одного модуля: 16 Гб;
Латентность: CL22;
Тайминги: 22 22;
Модулей в комплекте: 1 шт.;
Самовывоз Уточняется у менеджера;
27 548
-20%
22 081

Категории
Оперативная память
Цена, ₽
Производитель
Показать все
Тип памяти DDR
Форм-фактор
Объем одного модуля
Показать все
Объём памяти комплекта
Показать все
Количество модулей в комплекте
Частота памяти
Показать все
CAS Latency (CL)
Показать все
Подсветка элементов платы
Радиатор
Напряжение питания